Pida placas base Ultra Durable™ en su próximo PC.
 
   



Ultra Durable™ 5 - El diseño de potencia para la CPU/APU de más calidad de la industria
Nuestras mejores placas Ultra Durable™ hasta la fecha.
De nuevo GIGABYTE eleva el listón de calidad y durabilidad para placas base con lo último de su tecnología Ultra Durable™ 5, que incluye diversos componentes especiales para soportar corrientes altas que proporcionan un suministro de potencia a la CPU/APU de la mayor calidad para obtener así un rendimiento récord, un funcionamiento más eficiente a menor temperatura y una mayor esperanza de vida para las placas.

IR3550 PowIRstage®
La más premiada y valorada etapa de potencia de la industria.
• Proporciona un suministro de potencia homologado hasta 60A, al tiempo que mantiene una temperatura de funcionamiento baja.
• Pareja perfecta: Nuestras placas base Ultra Durable™ 5 utilizan controladores digitales PWM y chips PowIRstage® , ambos de IR, para formar un sistema de suministro de potencia único.
• Pico de eficiencia de hasta 95%, líder en la industria.
 
 
Diseño de potencia óptimo ara la CPU/APU

2X Copper PCB
Proporciona suficientes pistas de potencia entre los componentes para ser capaz de absorber cargas excepcionales asociadas al overclocking y para extraer calor de la zona de potencia de la CPU/APU.

Bobinas de choke de alta capacidad con núcleo de ferrita
Homologadas hasta 60A para proporcionar el suministro de potencia más estable.

* Las especificaciones reales de los componentes pueden variar según el modelo..
 

Todo Potencia, por dentro y por fuera.
Las placas Ultra Durable™ 5 de GIGABYTE utilizan los chips IR3550 PowIRstage® , que incluyen la homologación más alta de la industria para 60A, con menores pérdidas, mayor eficiencia y una excelente gestión térmica.
En lugar de conexiones de cable, el layout y el encapsulado utilizan pistas de cobre para toda la parte de potencia, lo que reduce las pérdidas debidas a la resistividad e inductancia que introducen dichas conexiones, que a su vez provocan sobreoscilaciones y altas pérdidas en AC.

Las conexiones entre los MOSFETs utilizan cobre de bajas pérdidas, lo que, además de reducir las mismas, ayuda a que se distribuya el calor.
Chip específico para activar MOSFETs de International Rectifier.
El MOSFET de lado alto (ControlFET) tiene una resistencia de puerta muy baja. El MOSFET de lado bajo (SyncFET) tiene un diodo Schottky integrado para una mayor eficiencia si cabe.
La corriente recorre un camino muy pequeño desde la parte inferior del dispositivo, bien a través del ControlFET (ciclo de trabajo ON) o del SyncFET (ciclo de rabajo OFF) y a través del clip de cobre. Este es otro de los motivos por el que el dispositivo dura tanto y puede soportar 60A.
El leadframe de cobre, hecho a medida, extrae el calor del silicio.
Diseño tradicional de la zona de potencia de la CPU/APU

Controlador PWM
Drivers MOSFET
MOSFETs de lado
alto/bajo tradicionales
Bobina de
choke
Condensador
CPU/APU
 
Preguntas y respuestas acerca de la zona de potencia de la CPU
 
¿Qué es la zona de potencia de la CPU/APU?
La zona de potencia de la CPU/APU contiene los diversos componentes de una placa base que se encargan de suministrar potencia a la CPU/APU (controlador PWM, circuitos de activación de los MOSFETs, MOSFETs de lado alto/bajo, chokes, condensadores y toda la circuitería asociada).

¿Qué es un MOSFET?
Es uno de los componentes más críticos de la zona de potencia de la CPU/APU, puesto que es un conmutador que se encarga de permitir o no que la corriente eléctrica fluya hasta la CPU/APU en primer lugar. Dicha conmutación está dirigida por el circuito de activación del MOSFET (driver) y el controlador PWM. También es uno de los elementos más caros de la zona de potencia.

¿Qué es una etapa de potencia?
Una etapa de potencia es un chip que incluye el circuito de activación de los MOSFETs, un MOSFET de lado alto y dos (a veces sólo uno) MOSFETs de lado bajo. Las etapas de potencia se fabrican gracias a un proceso más avanzado de manufactura, lo que las convierte en más eficientes.

¿Qué es un MOSFET "tradicional" (también conocido como MOSFET D-Pak...)?
Un MOSFET "tradicional" tiene un diseño menos avanzado y se usa en zonas de potencia de CPU/APU donde el driver y los MOSFETs están cada uno en un chip (diseño multi-chip), que son más baratas pero menos eficientes que las etapas de potencia en un solo chip.
 
 
 
Diseño en un único encapsulado
IR ha reaprovechado su tecnología de encapsulamiento, reputada a nivel mundial y desarrollada para su DirectFET®, mejorando de manera significativa la capacidad térmica y el layout del PowIRstage® en relación a otros encapsulados para módulos multichip.
 
Diseño en un único encapsulado*
vs.
Diseño multi-chip
   
 
MOSFET de lado alto
 
Driver
 
 
MOSFET de lado bajo
*Pendiente de Patente
 
Otros diseños utilizan un chip para cada componente, colocando los MOSFETs de lado alto y bajo uno frente al otro y junto al driver, ocupando un área significativa dentro de la placa y generando mayores pérdidas eléctricas.
MOSFET de lado alto
(MOSFET tradicional)
 
MOSFET de lado bajo
(MOSFET tradicional)
 
Driver
(Driver para el MOSFET)
   
 
 
 
 
 
Temperatura inferior,  Eficiencia superior,  Rendimiento superior
Alta eficiencia = Bajas pérdidas de potencia = Menos calor = Mayor esperanza de vida
 
 
Los chips IR3550 PowIRstage® de IR se calientan menos que otros diseños MOSFET, lo que permite que los usuarios hagan overclocking y obtengan mayores niveles de rendimiento.
 
MOSFET tradicional
 
Low RDS(on) MOSFET
 
Diseño Ultra Durable™ 4
IR3550 PowIRstage®
 
Ultra Durable™ 5 Design
 
* Resultados de las pruebas sólo como referencia. Los resultados pueden variar en función de la configuración del sistema.
* Prueba en laboratorio durante 10 min. y sin disipador: IR3550 PowIRstage® de 4 fases con 2x Copper PCB vs. MOSFET D-Pak tradicional de 4 fases con una carga de 100A
 
 
Los chips IR3550 PowIRstage® se calientan menos que otros diseños MOSFET, lo que permite que los usuarios hagan overclocking y obtengan mayores niveles de rendimiento. En general, todos los componentes tienen una temperatura máxima de funcionamiento y, una vez que se alcanza, subir la tensión únicamente produce fallos en el overclock. Puesto que los IR3550 PowIRstages® pueden funcionar a temperaturas más bajas y tensiones más altas que los diseños tradicionales, los overclockers tiene más margen para jugar con el voltaje y en potencia conseguir mejores resultados.
Menor temperatura = Mejores overclocks
Estabilidad del overclocking en relación a los MOSFETs
Sobrecalentamiento
Sin potencia suficiente
para overclocking
IR3550

PowIRstage®
Mejor
MOSFET
baja RDS(on)

(También conocido como WPAK, MOSFET PowerPAK...)
Bueno
MOSFET tradicional
(También conocido como MOSFET D-Pak... )
Pasable
 

Componentes especiales para corrientes altas

Las placas base Ultra Durable™ 5 de GIGABYTE incluyen etapas de potencia de alta capacidad y bobinas de choke con núcleo de ferrita homologadas hasta 60A junto con nuestro exclusivo 2x Copper PCB para proporcionar el suministro de potencia más estable.
Bobinas de choke de alta
capacidad a 60A con núcleo de ferrita
Etapa de potencia de 60A líder del mercado, con menores pérdidas, mayor eficiencia y una excelente gestión térmica.
2X Copper PCB



Calidad por dentro y por fuera

Aun cuando varios de los componentes de alta calidad utilizados en las placas base Ultra Durable™ de GIGABYTE no son visibles desde el exterior, como por ejemplo los eficientes chips IR3550 PowIRstage de International Rectifier y el cobre dentro de nuestro 2X Copper PCB, huelga decir que están trabajando duro para proporcionar una mejor eficiencia, mayores ahorros energéticos, menores temperaturas de funcionamiento, mejor rendimiento en overclocking y una mayor longevidad para el sistema. Esa es la garantía Ultra Durable™ de GIGABYTE.
PCB (Placa de circuito impreso, Printed Circuit Board)
2x copper PCB = PCB con 2 oz de cobre (56,70g) = masa de la capa de cobre
Un PCB de 30,48 cm x 30,48 cm tiene 56,70g de cobre

Capa de cobre
Espesor
2x cobre
0,070mm(70 µm)
1x cobre
0,035mm(35 µm)
Alta capacidad
Núcleo de ferrita
Bobinas
 
Condensador sólido
   
Power Stage
 
Doble cobre
en capa internas
Capa de señal
   
Capa de Alimentación
   
     
Nueva fibra de vidrio
   
Capa de tierra
   
Capa de señal
   
     
     
Los beneficions de un diseño de PCB con 56,70g (2oz) de cobre
 
Menor
Temperatura
Mejor
Overclocking
Mejor Eficiencia
Energética
2x menor impedancia
Menor EMI
Mejor Protección
ESD
 
El exclusivo diseño 2X Copper PCB de GIGABYTE proporciona un número suficiente de pistas de potencia entre componentes para asumir demandas de potencia mayores de lo normal y para, algo crítico, extraer calor de la zona que suministra directamente a la CPU. Esto es esencial de cara a asegurar que la placa base es capaz de manejar correctamente el aumento de demanda energética que supone el overclocking.




GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic
GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic motherboards embrace a range of exclusive features that guarantee DIY PC builders the absolute best protection for their PC, with built-in features that prevent common malfunction threats users encounter on a day-to-day basis.

 

Protección de humedad
Nuevo PCB Glass Fabric
La tecnología PCB Glass Fabric utiliza un nuevo material PCB que reduce el espacio entre los tejidos de fibra, dificultando enormemente la entrada de humedad en relación a las placas base con PCBs tradicionales. Esto supone una mayor protección ante cortocircuitos y fallos del sistema causados por humedad ambiental.
NUEVO
Nuevo PCB Glass Fabric
Tradicional PCB Glass Fabric
 
Tradicional



Protection electrostática
ICs de Alta Resistencia ESD
Todas las placas base GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic incorporan microchips IC de alta calidad que ofrecen una resistencia ESD (descarga electroestática) mayor que implementaciones ICs tradicionales. Las placas base GIGABYTE Ultra Durable™ 4 Classic utilizan ICs con hasta 3 veces más de niveles de resistencia ESD en relación con ICs estándares. Esto supone una mayor protección de la placa y de sus componentes ante daños ocasionados por electricidad estática.
ICs de Alta Resistencia ESD
ICs Tradicionales de Resistencia ESD




Protección frente a caídas de tensión
DualBIOS™ ; Protección ante fallos eléctricos

Si su casa sufre un apagón repentino, por cualquier motivo, las
placas base GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 están preparadas para asegurar que no se
produzca una avería grave. Todas las placas base GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 integran
la tecnología patentada DualBIOS ™ que garantiza protección de la BIOS en la
placa base, actualizando automáticamente la BIOS desde otra versión de
seguridad en el caso de un corte de energía crítico.

Recuperación de la BIOS
 

Las placas base GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 también cuentan
con IC especiales anti-picos energéticos que protegen a la placa y al PC de cualquier
aumento en la entrega eléctrica que pueda ocurrir, asegurando su PC para hacer
frente a cualquier tipo de entrega energética irregular e inconstante.

 
IC anti picos de corriente
IC sin anti picos de corriente
    * La protección de picos de corriente varía según el modelo



Protección ante altas temperaturas
Todos los condensadores sólidos ; MOSFETs de menor RDS(on)

Componentes especialmente seleccionados permiten que el PC sea
capaz de soportar temperaturas más altas en condiciones más extremas, mientras
que al mismo tiempo, previene de un sobrecalentamiento. Utilizando sólo
condensadores sólidos en las placas base GIGABYTE Ultra Durable ™ 4 se reducen
las temperaturas globales mientras que la placa base se mantiene más estable ante
temperaturas más altas. La elección de MOSFETs de menor RDS (on) también ayuda
a reducir las temperaturas de funcionamiento de manera significativa en
comparación con las soluciones de MOSFETs tradicionales.

 
Comparativa de Condensadores
Diseño con condensadores sólidos
Diseño tradicional
 
 
Comparativa de MOSFETs
 
Diseño con MOSFETs de bajo RDS (on)
 
Diseño MOSFET tradicional
    * El diseño de MOSFETs de Baja RDS (on) varía según el modelo




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