• امكانيات أكبر من ذي قبل للتحكم في الجهد الكهربي (المعالج، المكون الشمالي للشريحة الرئيسية، الذاكرة) • تحكم لحظي في الجهد الكهربي بدون أي تأخير • تحكم دقيق برفع الجهد الكهربي بمقدار 20mV كل مرة
دوائر مدمجة للتحكم في الجهد الكهربي للمكونات لتحكم أكبر في جهد المعالج والذاكرة والمكون الشمالي للشريحة الرئيسية. دوائر التحكم تمنح تحكمًا آنيًا في الجهد الكهربي. كما أن دوائر التحكم في الجهد الكهربي تعطى لرافعي تردد التشغيل الفرصة للتحكم الدقيق في الجهد الكهربي برفعه بمقدار 20mV كل مرة لأداء أفضل
دوائر مدمجة للتحكم في الجهد الكهربي للمكونات
رفع سرعة المعالج حتى 1200MHz
رفع الجهد الكهربي بمقدار 20mV
معاملات المضاعفة
لرفع سرعة الذاكرة أثناء عملية التحميل
جميع حقوق الملكية الفكرية بما فيها ، وليس على سبيل الحصر ، حقوق النسخ والعلامات التجارية لهاذا العمل وأى عمل يشتق عنه يعتبر ملكيه خاصه أو مرخص بإستخدامه لشركة GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. ويحظر تماما أى تعامل غير مصرح به.
