GP-ASACNE2100TTTDR
 
  • Интерфейс
    Интерфейс
    PCI-Express 3.0 x4, NVMe 1.3
  • Форм-фактор
    Форм-фактор
    PCl Express плата расширения (129,9 x 21,6 x 278,6)
  • Емкость накопителя
    Емкость накопителя
    1 Tбайт
  • Тип NAND
    Тип NAND
    3D TLC ToshiBa BiCS3
  • Выделенная кэш-память DDR
    Выделенная кэш-память DDR
    1024Мбайт
  • Скорость последовательного чтения
    Скорость последовательного чтения
    до 3480 Мбайт/с
  • Скорость последовательной записи
    Скорость последовательной записи
    до 3080 Мбайт/с
  • Произвольное чтение, операций IOPS
    Произвольное чтение, операций IOPS
    не менее 610K
  • Произвольная запись, операций IOPS
    Произвольная запись, операций IOPS
    не менее 530K
  • Наработка на отказ (MTBF)
    Наработка на отказ (MTBF)
    1,8 млн. час
  • Энергопотребление (активный режим)
    Энергопотребление (активный режим)
    Усредненное значение: Чтение: 6,2 Вт; Запись: 5,9 Вт
  • Энергопотребление (режим простоя)
    Энергопотребление (режим простоя)
    485 мВт
  • Температура (рабочая)
    Температура (рабочая)
    от 0°C до 70°C
  • Температура (хранение)
    Температура (хранение)
    от -40°C до 85°C
  • Гарантия
    Гарантия
    Ограниченная 5-летняя или 1600 TBW
  • Примечания
    Примечания
    * Тестирование системы: конфигурация может значительно отличаться, в зависимости от выбранного аппаратного обеспечения. Мы рекомендуем тестировать оборудование на базе современной актуальной платформы.
    * Производительность может варьироваться в зависимости от версии микрокода SSD-накопителя аппаратного обеспечения и конфигурации системы. Быстродействие на операциях последовательного чтения данных измерялась средствами CrystalDiskMark v.5.1.2 и Iometer 1.1.0.
    * Скоростные показатели получены при внутреннем тестировании. Реальная производительность может отличаться.
    * TBW (Total Bytes Written): суммарный объём информации, после записи которой ресурс работы ячеек памяти исчерпан и накопитель может выйти из строя.
    * 1 Гбайт = 1 млрд. байт Реальная доступная емкость дискового пространства может отличаться.
    * 5 лет или 1600 TBW, в зависимости от того, какое событие наступит первым.
    * Параметр TBW оценивается по стандарту рабочей нагрузки, регламентированной JEDEC.
* The entire materials provided herein are for reference only. GIGABYTE reserves the right to modify or revise the content at anytime without prior notice.
* Advertised performance is based on maximum theoretical interface values from respective Chipset vendors or organization who defined the interface specification. Actual performance may vary by system configuration.
* All trademarks and logos are the properties of their respective holders.
* Due to standard PC architecture, a certain amount of memory is reserved for system usage and therefore the actual memory size is less than the stated amount.