|
Ultra Durable™ 5 - Thiết kế chất lượng nguồn CPU cao nhất ngành |
Các bo mạch chủ Ultra Durable™ tốt nhất của chúng tôi
GIGABYTE một lần nữa đã nâng mức xếp hạng “chất lượng và độ bền” bo mạch chủ với công nghệ Ultra Durable™ 5, được trang bị các linh kiện có khả năng chịu và cấp dòng cao nhằm cung cấp nguồn điện có chất lượng cao nhất cho CPU, để đạt hiệu năng phá vỡ kỷ lục, hoạt động mát mẻ và hiệu quả và kéo dài tuổi thọ bo mạch.
IR3550 PowIRstage®
Có tần công suất được đánh giá và xếp hạng cao nhất ngành.
• Dòng ra lên đến 60A, nhưng vẫn duy trì được nhiệt độ mát mẻ.
• Kết hợp hoàn hảo: Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 5 và IC IR PowIRstage®, sử
dụng 2 bộ điều khiển PWM kỹ thuật số IR, giúp cấp nguồn hệ thống được xuyên suốt, độc đáo.
• Hiệu quả đỉnh lên đến 95% dẫn đầu ngành công nghiệp
|
|
|
Thiết kế nguồn CPU tối ưu |
|
|
PCB bằng đồng dầy 2x
Cung cấp đủ đường dẫn tín hiệu giữa các linh kiện để xử lý quá trình tải ngoại lệ khi thực hiện ép xung và triệt tiêu sức nóng khỏi các khu vực nguồn CPU nhạy cảm.
Cuộn dây lõi Ferrit chịu dòng cao
Lên đến 60A để cung cấp nguồn điện ổn định nhất.
* Đặc tính kỹ thuật thực tế của linh kiện có thể khác tùy theo từng model.
|
|
Cực mát, từ trong ra ngoài |
![](ud5-powlrstage_01.jpg) |
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable 5 sử dụng ICIR3550 PowIRstage®, có khả năng cấp dòng đến 60A cao nhất ngành, thất thoát điện năng thấp, duy trì nhiệt độ xuất sắc và hiệu quả cao hơn.
|
|
![](ud5-powlrstage_02.jpg) |
Bố trí và đóng gói sử dụng các điểm nối bằng đồng cho tất cả các đường dẫn nguồn hơn là nối ghép dây, làm giảm thất thoát do nối ghép dây trở kháng và tự cảm cao gây ra hiện tượng thất thất điện năng cao.
|
Đường dẫn tín hiệu giữa các MOSFET sử dụng đồng nguyên chất dầy, giảm thất thoát và giúp lan tỏa sức nóng nhanh chóng. |
IC điều khiển MOSFET chuyên dụng từ International Rectifier. |
High side MOSFET (FET điều khiển) có cổng nạp rất thấp. Low side MOSFET (SyncFET) tích hợp diode Schottky để tăng hiệu quả cao hơn.
|
Dòng điện chỉ mất 1 đoạn đường rất ngắn từ phía dưới thiết bị, để đi đến FET điều khiển (duty cycle ON) hoặc SyncFET (Duty cycle OFF) và qua kẹp đồng. Đây là lý do thiết bị rất bền và có thể chịu đến 60A.
|
Khung bọc bằng đồng tùy biến dẫn nhiệt ra khỏi silicon. |
|
|
Thiết kế khu vực nguồn CPU truyền thống |
![](ud5-powlrstage_03.jpg)
Bộ điều khiển PWM |
Trình điều khiển MOSFET |
MOSFET High side và
Low side truyền thống |
Cuộn dây |
Tụ điện |
CPU |
|
|
Khu vực nguồn CPU là gì?
|
|
Khu vực nguồn CPU là gì? ?
Khu vực nguồn CPU của bo mạch chủ chứa nhiều linh kiện khác nhau, chịu trách nhiệm cấp phát nguồn điện đến CPU (PWM controller, MOSFET Drivers, High và Low side MOSFET, cuộn dây, tụ điện và mạch liên quan).
MOSFET là gi?
MOSFET là 1 trong những linh kiện quan trọng nhất của khu vực CPU, nó đóng vai trò như là 1 công tắc cho phép hoặc ngăn dòng điện vào CPU. Chế độ bật/tắt do driver và controller MOSFET điều khiển. Đây cũng là 1 trong những linh kiện đắt tiền nhất trong thiết kế nguồn.
Power Stage là gì ?
Power Stage là một chon chip đơn bao gồm trình điều khiển MOSFET, 1 high side MOSFET và 2 (thỉnh thoảng 1) low side MOSFET. Power Stages được sản xuất bằng các sử dụng quá trình xử lý cao cấp, và do đó hiệu quả hơn.
MOSFET truyền thống là gì (như D-Pak MOSFET)? ?
MOSFET truyền thống có thiết kế ít cao cấp được sử dụng trong các khu vực nguồn CPU thông thường, nơi các trình điều khiển MOSFET và high và low side MOSFET là các chip đơn lẻ (thiết kế MMC).Chúng không quá đắt và kém hiệu quả hơn chip Power Stage đơn. |
|
|
|
|
|
|
IR sử dụng công nghệ đóng gói hàng đầu thế giới do DirectFET® phát triển, công nghệ này giúp cải thiện khả năng chịu nhiệt và mặt ngoài của PowIRstage® một cách đáng kể so vói đóng gói MCM. |
|
Thiết kế đóng gói đơn* |
vs. |
Thiết kế nhiều chip (MCM) |
|
|
Driver IC |
|
|
**Đang chờ cấp bản quyền |
|
|
|
Việc triển khai các lớp MOSFET khác sử dụng multi-chip, sắp xếp các high và low side MOSFET và trình điểu khiển IC cạnh nhau, chiếm dụng nhiều khoảng trống và dễ tạo ra rò điện. |
![](ud5-powlrstage_06.jpg) |
High Side MOSFET
(MOSFET truyền thống) |
|
Low Side MOSFET
(MOSFET truyền thống) |
|
Trình điều khiển IC
(MOSFET Driver) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Siêu mát, Siêu hiệu quả, Siêu hiệu năng |
Hiệu quả cao = Thất thoát điện năng thấp = Ít nóng = Tuổi thọ được kéo dài |
|
|
IR's IR3550 PowIRstage® có hiệu quả nguồn điện hơn và mát hơn so với MOSFET đối thủ, dẫn đến kéo dài tuổi thọ và nhiều khoảng không hơn dành cho hiệu năng ép xung tốt hơn.
|
|
MOSFET truyền thống
So sánh mẫu |
MOSFET trở kháng thấp
thấp hơn đến 40°C |
IR3550 PowIRstage®
thấp hơn đến 60°C |
|
|
|
Bình thường |
Tốt |
Tốt nhất |
|
|
* Kết quả test chỉ để tham khảo. Kết quả có thể khác tùy theo cấu hình hệ thống.
* Nhiệt độ thấp hơn đến 60 độ. Kết quả nhận được khi sử dụng 4 phase IC IR3550 PowIRstage®, lớp PCB đồng 2x và 4 phase D-Pak MOSFET @ 100A tải trong 10” ở phòng thí nghiệm không có heatsink |
|
|
Các IC IR3550 PowIRstage® vẫn mát hơn thiết kế MOSFET khác, cho phép người sử dụng ép xung hệ thống đến mức hiệu năng cao hơn. Mỗi linh kiện nguồn đều có ngưỡng nhiệt độ hoạt động, và một khi nó đã đạt mức giới hạn, việc cấp thêm nguồn sẽ gây ra kết quả hỏng hóc. Bởi vì IC IR3550 PowIRstage® có thể hoạt động ở nhiệt độ mát hơn với mức điện thế cao hơn thiết kế truyền thống, các tay ép xung có thể có nhiều "mức giới hạn" hơn để tăng điện áp, dẫn đến kết quả ép xung cao hơn.
|
Nhiệt độ mát hơn = Ép xung cao hơn |
MOSFET ép xung ổn định |
|
Quá nóng |
Không đủ nguồn
để ép xung |
|
|
![](ud5-powlrstage_17-2.jpg) |
IR3550
PowIRstage® |
Tốt nhất |
|
![](ud5-powlrstage_17-3.jpg) |
MOSFET
trở kháng thấp
(như: WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Tốt |
|
![](ud5-powlrstage_17-4.jpg) |
MOSFET truyền thống
(như D-Pak MOSFET... ) |
Bình thường |
|
|
|
|
Các linh kiện chịu dòng cao |
Các bo mạch chủ GIGABYTE Ultra Durable™ 5 được trang bị tần công suất dung lượng cao và cuộn dây lõi Ferrit lên đến 60A với lớp PCB đồng dầy 2x độc quyền của GIGABYTE giúp cấp phát nguồn ổn định hơn. |
Chất lượng từ trong ra ngoài |
Mặc dù một vài linh kiện chất lượng cao sử dụng trong bo mạch GIGABYTE Ultra Durable không nhìn thấy được từ bên ngoài, nhưng thực tế chúng vẫn đang "làm việc miệt mài" để đem đến hiệu quả tốt hơn, tiết kiệm năng lượng hơn, nhiệt độ hệ thống mát hơn, hiệu năng ép xung và tuổi thọ hệ thống được kéo dài hơn. Đó là lời đảm bảo của GIGABYTE Ultra Druable.
|
|
PCB (Printed Circuit Board)
PCB đồng 2x = PCB đồng 2 oz = Trọng lượng của lớp đồng
30.48 cm x 30.48 cm (1 foot vuông) PCB là 56.7 g (2 oz)
|
Lớp đồng |
Dầy |
Đồng 2x |
0.070mm (70 µm) |
Đồng 1x |
0.035mm (35 µm) |
|
|
Cuộn dây
Lõi Ferrite
chịu dòng cao |
|
Tụ điện rắn |
|
|
Tần công suất |
|
Lớp đồng dầy 2x
bên trong |
Lớp tín hiệu |
|
|
Lớp nguồn |
|
|
|
|
|
Sợi thủy tinh mới |
|
|
Lớp đất |
|
|
Lớp tín hiệu |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Lợi ích của thiết kế lớp PCB đồng dầy 2 oz
|
|
Nhiệt độ
thấp hơn |
Ép xung
tốt hơn |
Nguồn điện
hiệu quả hơn |
Trở kháng
thấp hơn 2x |
Nhiễu EMI thấp hơn |
Chống tĩnh điện
tốt hơn |
|
|
Thiết kế lớp PCB bằng đồng nguyên chất dầy 2x độc quyền của GIGABYTE cung cấp đủ các đường dẫn tín hiệu giữa các linh kiện để xử lý tốt hơn so với thông thường và triệt tiêu nhiệt khỏi khu vực cấp nguồn CPU. Điều này đảm bảo bo mạch có thể giải quyết việc tăng tải cần thiết khi thực hiện ép xung. |
|