Cool Power, Inside and Out |
|
GIGABYTE Ultra Durable™ 5 ที่มีไอซี IR3550 PowIRstage® ICs จะมาพร้อมคุณลักษณะพิเศษในการให้พลังงานได้มากถึง 60A นับเป็นไอซีคุณภาพสูงที่สุดในอุตสาหกรรมขณะนี้. ซึ่งด้วยไอซีที่ดีเยี่ยมนี้จะช่วยทำให้การจัดส่งพลังงานให้กับซีพียู มีเสถียรภาพ และรองรับการโอเวอร์คล็อกได้ดียิ่งขึ้น.
|
|
|
เลย์เอาต์และบรรจุภัณฑ์เชื่อมต่อทองแดงจะช่วยลดความสูญเสียพลังงานอันเนื่องมาจากการเหนี่ยวนำสูง ซึ่งอาจจะทำให้เกิดเสียง และการสูญเสีย AC สูง
|
การเชื่อมต่อระหว่างเพาเวอร์ MOSFETs ที่ใช้ทองแดง จะช่วยให้การสูญเสียพลังงานต่ำลงและช่วยในการแพร่กระจายความร้อน. |
ตัว MOSFET driver IC จาก International Rectifier. |
High side MOSFET (Control FET), MOSFET (SyncFET) มีความต้านทางต่ำ และมี integrated Schottky Diode ที่มีประสิทธิภาพสูง. |
มีเส้นทางในการทำงานที่สั้น โดยจะผ่านการควบคุมอย่างใดอย่างหนึ่ง คือ control FET (duty cycle ON) หรือ Sync FET (Duty cycle OFF) และสามารถบริหารจัดการอำนาจการทำงานในระดับ 60A ได้ดี. |
คลิปทองแดงจะช่วยลดความร้อนให้ออกไปจากชิพซิลิกอน |
|
|
Traditional CPU/APU Power Zone Design |
PWM controller |
MOSFET Drivers |
Traditional High and
Low side MOSFETs |
Choke |
Capacitor |
CPU/APU |
|
|
CPU/APU Power Zone Q & A
|
|
อะไรคือ CPU Power Zone ?
CPU Power Zone จะประกอบไปด้วยคอมโพเนนท์ที่ใช้สำหรับจัดส่งพลังงานให้กับ CPU (PWM controller, MOSFET Drivers, High and Low side MOSFETs , Chokes, Capacitors และ related circuitry
อะไรคือ MOSFET ?
MOSFET เป็นองค์ประกอบที่สำคัญที่สุดใน CPU power zone, เป็นสวิทซ์ที่อนุญาตให้กระแสไฟไหลผ่านไปยัง CPU. มักจะถูกควบคุมการทำงานด้วย MOSFET driver และ PWM controller. นอกจากนี้ยังเป็นหนึ่งในองค์ประกอบที่แพงที่สุดของการออกแบบภาคจ่ายไฟอีกด้วย.
อะไรคือ Power Stage ?
Power Stage เป็นชิพตัวเดียวที่มีโปรแกรมควบคุม MOSFET driver, 1 high side MOSFET และ 2 (บางครั้งมีเพียง 1) Low Side MOSFETs . Power Stages จะใช้กระบวนการผลิตที่ดีขึ้น จึงทำให้มีประสิทธิภาพมากยิ่งขึ้น.
อะไรคือ MOSFET แบบดั่งเดิม (หรือที่เรียกว่า D-Pak MOSFET...) ?
MOSFET แบบดั่งเดิม จะใช้เทคโนโลยีการออกแบบรุ่นเก่า ที่ใช้สำหรับ CPU power zone ซึ่ง MOSFET drivers และ High and Low Side MOSFETS จะถูกแบ่งเป็นสองชิพ (multi-chip MOSFET design). มีราคาไม่แพง และมีประสิทธิภาพการทำงานด้อยกว่าชิพแบบเดี่ยว. |
|
|
|
|
|
|
IR ได้ยกระดับการพัฒนาเทคโนโลยีสำหรับ DirectFET®, ซึ่งเป็นการปรับปรุงความสามารถในการะบายความร้อน และรูปแบบของ PowIRstage® อย่างมีนัยสำคัญมากกว่า MCM แพ็กเกจอื่นๆ. |
|
Single Package Design* |
vs. |
Multi-Chip Design |
|
|
Driver IC |
|
|
*patent pending |
|
|
|
MOSFET แบบอื่นๆ จะใช้การออกแบบในลักษณะ multi-chip, ซึ่งตัว MOSFETs และ driver IC จะมีความสูงต่ำไม่เท่ากัน, ซึ่งการออกแบบลักษณะนี้จะทำให้การรั่วไหลของกระแสไฟเกิดขึ้นได้ง่าย. |
|
High Side MOSFET
(Traditional MOSFET) |
|
Low Side MOSFET
(Traditional MOSFET) |
|
Driver IC
(MOSFET Driver) |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
Ultra Cool, Ultra Efficient, Ultra Performance |
High Efficiency = Low Power Loss = Less heat = Longer Lifespan |
|
|
ด้วย IR3550 PowIRstages® ช่วยทำให้การทำงานที่แรงดันไฟฟ้าสูงๆ ไม่เกิดปัญหา เพราะสามารถรักษาอุณหภูมิการทำงานได้เย็นกว่า ช่วยเพิ่มช่องว่างให้กับการโอเวอร์คล็อกได้ดียิ่งขึ้น ส่งผลให้การโอเวอร์คล็อกมีศักยภาพสูงสุด.
|
|
|
Low RDS(on) MOSFET |
|
Ultra Durable™ 4 Design |
|
IR3550 PowIRstage® |
|
Ultra Durable™ 5 Design |
|
|
|
* Testing result for reference only. Results may differ according to system configuration.
* 4 phase IR3550 PowIRstage® with 2x Copper PCB vs. 4 phase traditional D-Pak MOSFET @ 100A load 10 mins lab testing without heatsink |
|
|
IR3550 PowIRstage® ICs จะมาพร้อมกับคุณลักษณะพิเศษของ MOSFET driver IC ซึ่งดีที่สุดสำหรับ MOSFET. โดยส่วนใหญ่ผู้ผลิตทั่วไปมักเลือกใช้ Driver MOSFET จากบริษัทอื่นๆ , จึงทำให้การผสานการทำงานเกิดข้อผิดพลาด. ดังนั้นทาง IR จึงได้ออกแบบโปรแกรมควบคุมนี้ด้วย co-packaged Driver+MOSFETs เพื่อช่วยเพิ่มสมรรถนะการทำงานของโมดูลนี้ให้มีประสิทธิภาพมากที่สุด. |
Cooler temps. = Higher Overclocks |
MOSFET Overclocking Stability |
|
Overheat |
Not enough power
for overclocking |
|
|
|
IR3550
PowIRstage® |
Best |
|
|
Lower RDS(on)
MOSFET
(Also known as WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Good |
|
|
Traditional MOSFET
(Also known as D-Pak MOSFET... ) |
OK |
|
|
|
|
Quality Inside and Out |
ถึงแม้ว่าชิ้นส่วนที่มีคุณภาพสูง ที่ถูกนำมาใช้งานกับเมนบอร์ด GIGABYTE Ultra Durable™ จะไม่สามารถมองเห็นได้จากภายนอก แต่คุณจงเชื่อมั่นว่าเราได้ใช้ความพยายาม และทำงานกันอย่างหนักเพื่อให้เมนบอร์ดของเรามีประสิทธิภาพในการทำงานที่ดียิ่งขึ้น มีอุณหภูมิการทำงานต่ำ มีอายุการทำงานที่ยืนยาว และรองรับการโอเวอร์คล็อกได้ดีกว่าเดิม นอกเหนือจากการประหยัดพลังงานซึ่งเป็นหัวใจหลักในการออกแบบที่เรายึดมั่นเสมอมา และนี่คือทั้งหมดที่เราขอรับประกันว่าคุณจะได้รับจากเมนบอร์ด GIGABYTE Ultra Durable™ ทุกรุ่น. |
|
PCB (Printed Circuit Board)
2x copper PCB = 2 oz copper PCB = weight of copper layer
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB is 56.7 g (2 oz)
|
Copper Layer |
Thickness |
2x copper |
0.070mm (70 µm) |
1x copper |
0.035mm (35 µm) |
|
|
High Capacity
Ferrite Core
Choke |
|
Solid Capacitor |
|
|
Power Stage |
|
2x Copper
Inner Layer |
Signal Layer |
|
|
Power Layer |
|
|
|
|
|
New Glass Fabric |
|
|
Ground Layer |
|
|
Signal Layer |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
The Benefits of 2 oz Copper PCB design
|
|
|
Lower
Temperature |
Better
Overclocking |
Better Power
Effciency |
2x Lower
Impedance |
Lower EMI |
Better ESD
Protection |
|
|
GIGABYTE's exclusive 2X Copper PCBs design จะช่วยทำให้การจัดส่งพลังงานเพียงพอต่อความต้องการของซีพียูทั้งในการทำงานปกติ และการนำเอาความร้อนออกจากซีพียูเมื่อมีการใช้งานแบบหนักหน่วง. นี้คือสิ่งจำเป็นที่จะช่วยให้คุณมั่นใจได้ว่าเมนบอร์ดจะสามารถจัดส่งพลังงานได้อย่างต่อเนื่องเมื่อต้องการโอเวอร์คล็อก. |