|
|
|
| Ultra Durable™ 5 - Design de alimentare CPU de cea mai înaltă calitate din industrie |
Cele mai bune plăci de bază Ultra Durable™ ale momentului
GIGABYTE ridică din nou ștacheta calității și durabilității plăcilor de bază cu cea mai nouă tehnologie Ultra Durable™ 5, ce include componente capabile de curenți mari pentru zona de alimentare a CPU pentru obținerea de performanțe capabile să doboare recorduri, pentru o funcționare rece și eficientă și pentru o durată de viață extinsă a plăcii de bază.
IR3550 PowIRstage®
Cele mai înalt cotate și premiate Power Stage din industrie.
• Livrează curent până la 60A, menținând temperaturi joase de lucru.
• Perechea perfectă: plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ 5 folosesc controllere IR digital PWM și circuite integrate IR PowIRstage®, pentru o livrare unică și uniformă a energiei în sistem.
• Eficiență de vârf de până la 95%, cea mai bună din industrie
|
|
| |
Design optim de alimentare CPU
|
|
|
PCB cu 2X cupru
Oferă trasee de alimentare suficiente între componente pentru a putea suporta energii mai mari decât cele normale asociate cu overclocking-ul și pentru a disipa căldura din zona critică de alimentare a CPU.
Bobine cu miez de ferită de capacitate mare
Cotate până la 60A pentru cea mai stabilă livrare de energie.
* Specificațiile actuale ale componentelor pot varia în funcție de model.
|
| |
Putere rece, înăuntru și afară |
 |
Plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ 5 folosesc circuite integrate IR3550 PowIRstage®, cotate cu cel mai mare curent din industrie - 60A, cu pierderi mai mici, eficiență mai mare și un excelent management termic.
|
|
 |
Schema și ambalarea folosesc conexiuni din cupru pentru toate căile de alimentare față de legături prin fire, reducând astfel pierderile cauzate de rezistența mare a legăturilor prin fire cât și inductanța mare ce cauzează sunete și pierderi mari de AC.
|
Conexiunile de alimentare dintre MOSFETi folosesc cupru cu foarte mici pierderi, reducând pierderile și ajutând la disiparea căldurii. |
MOSFET driver IC specializat de la International Rectifier. |
High side MOSFET (Control FET) cu încarcare foarte mica pe poartă. Low side MOSFET (SyncFET) are o diodă Schottky integrată pentru eficiență și mai mare. |
Curentul are trasee foarte scurte din partea de jos a echipamentului, fie prin control FET (duty cycle ON) sau prin Sync FET (Duty cycle OFF) și prin clema de cupru. Un alt motiv pentru care echipamentul este atât de durabil și poate rezista la 60A. |
Carcasă personalizată din cupru conduce căldura departe de siliciu. |
|
|
Design tradițional al zonei de alimentare |
Controller PWM |
MOSFET Drivers |
MOSFETi tradiționali High și
Low side |
Bobină |
Condensator |
CPU |
|
| |
Întrebări și răspunsuri despre zona de alimentare CPU
|
| |
Ce reprezintă zona de alimentare CPU ?
Zona de alimentare CPU contine componente variate ale unei plăci de bază ce sunt responsabile cu livrarea energiei către CPU (controller PWM, MOSFET Drivers, MOSFETi High și Low side, bobine, condesnatori și circuitele aferente).
Ce este un MOSFET ?
Un MOSFET este una dintre cele mai critice componente din zona de alimentare CPU, fiind un comutator ce mai întâi permite sau nu trecerea curentului electric către CPU. Comutarea sa este controlată de un MOSFET driver și de controller-ul PWM. Este de asemenea una dintre cele mai scumpe componente din zona de alimentare.
Ce este un Power Stage ?
Un Power Stage este un cip singular ce include MOSFET driver, 1 high side MOSFET și 2 (uneori 1) Low Side MOSFETi . Power Stage sunt realizați folosind un proces de fabricație mult mai avansat, și de aceea sunt mai eficienți.
Ce este un MOSFET tradițional (cunoscut și ca D-Pak MOSFET...) ?
Un MOSFET traditional este un MOSFET cu un design mai putin avansat ce este folosit într-o zonă de alimentare CPU traditională, unde MOSFET drivers și High și Low Side MOSFET sunt fiecare câte un cip individual (design multi-cip MOSFET). Sunt mai puțin costisitori și mai putin eficienți ca Power Stage. |
|
|
| |
| |
| |
|
IR a folosit tehnologia de construcție de clasă mondială dezvoltată pentru DirectFET®, îmbunătățind semnificativ capabilitățile termice și aspectul PowIRstage® față de cele de tip MCM. |
| |
Design Single Package* |
vs. |
Design Multi-Chip |
|
| |
| Driver IC |
| |
|
| *în curs de patentare |
|
|
|
Alte implementări de design cu MOSFET folosesc un aranjament multi-cip, alăturat al high și low side MOSFET și al driver IC, ocupând mai mult spațiu pe placă și permițând mai multe scurgeri electrice. |
 |
High Side MOSFET
(MOSFET tradițional) |
| |
Low Side MOSFET
(MOSFET tradițional) |
| |
Driver IC
(MOSFET Driver) |
|
| |
|
|
| |
|
|
| |
| |
| |
| |
| Ultra Rece, Ultra Eficient, Ultra Performanță |
| Eficiență crescută = Pierderi mici de putere = Căldură mai puțină = Durată mai lungă de viață |
| |
| |
IR3550 PowIRstage® sunt mai eficiente și operează mai rece decât MOSFET-ii competitorilor, rezultând o durată mai mare de viață a componentelor și mai mult spațiu pentru performanțe mai mari de overclocking.
|
| |
MOSFET tradițional
Model de comparare |
Lower RDS(on) MOSFET
până la 40°C mai jos |
IR3550 PowIRstage®
până la 60°C mai jos |
|
|
|
OK |
Bun |
Cel mai bun |
|
| |
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot diferi în funcție de configurația sistemului.
* Temperaturi mai joase cu până la 60° C obținute folosind IR3550 PowIRstage® cu 4 faze cu PCB cu 2x Cupru vs. D-Pak MOSFET cu 4 faze @ încărcare de 100A testate 10 minute în laborator fără radiator |
| |
| |
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® rămân mai reci față de alte design-uri MOSFET, permițând utilizatorilor să overclockeze la nivele mai mari de performanță. Fiecare componentă de putere are o temperatură maximă de lucru care, atunci când este atinsă și se crește tensiunea, va avea ca rezultat un overclock nereușit. Cum IR3550 PowIRstages® sunt capabile să lucreze la temperaturi mai mici și la tensiuni mai mari față de un design tradițional, overclockerii pot crește mai mult tensiunea rezultând overclock-uri mai mari. |
Temperaturi mai joase = Overclock mai bun |
Stabilitate MOSFET la Overclocking |
|
Supraîncălzire |
Putere insuficientă
pentru overclocking |
|
|
 |
IR3550
PowIRstage® |
Cel mai bun |
|
 |
Lower RDS(on)
MOSFET
(Cunoscut și ca WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Bun |
|
 |
Traditional MOSFET
(Also known as D-Pak MOSFET... ) |
OK |
|
|
|
| |
Componente capabile de curenți mari |
Plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ 5 folosesc Power Stages și Bobine cu miez de ferită de capacitate mare de până la 60A împreună cu PCB-ul exclusiv GIGABYTE cu 2x Cupru pentru a oferi cea mai stabilă livrare de energie. |
 |
| |
Power Stages de
capacitate mare 60A |
Bobine cu miez de ferită de capacitate mare 60A |
|
|
| |
* Specificațiile actuale ale componentelor pot varia în funcție de model |
|
Calitate înăuntru și afară |
Chiar dacă unele dintre componentele de calitate folosite pe plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ nu sunt vizibile de afară, fiți siguri că ele lucrează din greu pentru a oferi o mai bună eficiență, economie mai mare de energie, temperaturi mai mici în sistem, performanțe mai bune la overclocking și longevitate crescută a sistemului. Aceasta reprezintă garanția GIGABYTE Ultra Durable™.
|
 |
PCB (Printed Circuit Board)
PCB cu 2x cupru (PCB 2 oz cupru) = masa stratului de cupru
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB = 56.7 g (2 oz)
|
|
Grosime |
2x cupru |
0.070mm (70 µm) |
1x cupru |
0.035mm (35 µm) |
|
|
Bobină cu
miez de ferită
de mare capacitate |
|
|
| |
|
Power Stage |
|
2x Cupru
strat interior |
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
New Glass Fabric |
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
Beneficiile PCB cu 2x Cupru
|
|
Temperaturi
scăzute |
Overclocking
mai bun |
Eficienţă
energetică mare |
Impedanţă de
2x mai mică |
Interferenţe EMI scăzute |
Protecţie ESD
mărită |
|
| |
Design-ul exclusiv GIGABYTE cu PCB cu 2x Cupru oferă trasee de alimentare suficiente între componente pentru a putea suporta energii mai mari decât cele normale și pentru a disipa căldura din zona critică de alimentare a CPU. Acestea sunt esențiale pentru a se asigura că placa de bază este capabilă să gestioneze creșterile de putere atunci când este necesar la overclocking. |
|
|
Ultra Durable™ 4 -
alegeţi o placă de bază Ultra Durable |
| |
Design Lower RDS(on) MOSFET |
Componente de calitate pentru plăci de bază de calitate |
|
 |
| |
Spatele plăcii de bază |
Fața plăcii de bază |
|
 |
| |
PWM B True Digital
pentru Memorie și VTT |
PWM A True Digital
pentru CPU și Intel HD Graphics |
|
|
| |
|
| Plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ |
Încă de la mijlocul anului 2011, nici o placă de bază GIGABYTE nu mai folosește D-Pak MOSFETs pentru alimentarea CPU |
| |
MOSFET Tradițional
model de comparare |
Lower RDS(on) MOSFET
până la 40°C mai puțin |
|
| |
|
|
|
| |
Fierbinte |
Rece |
|
| |
|
|
|
|
| |
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot varia în funcție de configurația sistemului.
* Temperaturi cu până la 60° C mai joase obținute folosind 4 phase Lower RDS(on) MOSFET cu PCB cu 2x Cupru vs. 4 phase Traditional MOSFET @ 100A încărcare, testat 10 minute în laborator fără radiator. |
| |
|
Lower RDS(on) MOSFET
(Cunoscut și ca WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Cost mai mare |
|
Eficiență bună
Temperaturi joase
|
|
MOSFET Tradițional
(Cunoscut și ca D-Pak MOSFET... ) |
Cost redus |
|
Eficiență joasă
Temperaturi mari
|
|
|
| |
| |
|
Lower RDS(on) MOSFET
(Cunoscut și ca WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
| |
8 pini
(4 dreapta, 4 stânga) |
MOSFET Tradițional (Cunoscut și ca D-Pak MOSFET...) |
| |
3 pini
(1 dreapta, 2 stânga) |
|
| |
Raportul mărimii dintre obiecte este constant |
|
|
|
| |
Temperaturi mai joase = Overclocking mai bun |
|
| |
Supraîncălzire |
|
Putere insuficientă
pentru overclocking |
|
|
|
|
PCB cu 2X cupru |
Design-ul GIGABYTE Ultra Durable™ 4 foloseşte de 2X mai mult cupru faţă de o placă de bază tradiţională, atât pentru stratul de alimentare cât şi pentru cel de masă, scăzând astfel dramatic temperatura sistemului prin disiparea mai eficientă a căldurii din zonele critice ale plăcii de bază, cum ar fi zona de alimentare CPU, prin tot PCB-ul. GIGABYTE Ultra Durable™ 4 scade de asemenea impedanţa PCB cu până la 50%, ceea ce ajută la reducerea pierderilor electrice şi la coborârea şi mai mult a temperaturii componentelor. Un design cu 2X Cupru îmbunătăţeşte calitatea semnalului şi reduce EMI (Electromagnetic Interference – interferenţele electromagnetice), oferind o mai bună stabilitate a sistemului şi permiţând margini mai bune pentru overclocking.
|
Bobină cu miez de ferită |
|
50000 h
condensatori solizi japonezi
|
Lower RDS(on)
MOSFET |
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
| |
|
|
| |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
 |
PCB (Printed Circuit Board)
PCB cu 2x cupru (PCB 2 oz cupru) = masa stratului de cupru
30.48 cm x 30.48 cm (1 square foot) PCB = 56.7 g (2 oz)
|
|
Grosime |
2x cupru |
0.070mm (70 µm) |
1x cupru |
0.035mm (35 µm) |
|
|
Beneficiile PCB cu 2x Cupru
• Mai reci decât plăcile de bază tradiționale
• Durabilitate crescută
• Eficienţă energetică îmbunătăţită
• Margini mai mari pentru overclocking |
|
| |
|
|
Temperaturi
scăzute |
Overclocking
mai bun |
Eficienţă
energetică mare |
Impedanţă de
2x mai mică |
Interferenţe EMI scăzute |
Protecţie ESD
mărită |
|
 |
Protecţie la umiditate |
 |
| Noul PCB fabricat cu sticlă |
Prin folosirea unui nou material pentru PCB ce reduce spaţiul dintre ţesăturile de fibră, tehnologia Glass Fiber PCB face ca umezeala să pătrundă foarte greu în comparaţie cu PCB-urile tradiţionale ale plăcilor de bază. Astfel se oferă o protecţie mult mai bună împotriva scurt-circuitelor şi defecţiunilor sistemului cauzate de lucrul în condiţii de umiditate. |
|
 |
|
Noul Glass Fabric PCB |
Glass Fabric PCB tradițional |
|
|
 |
|
|
|
