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ドライバMOSFET : VRMコンポーネントの統合
従来の電圧レギュレータモジュール(VRM)はチョーク、コンデンサ、MOSFETおよびドライバICから構成されます。ドライバMOSFET仕様に準拠することにより、MOSFETとドライバICを統合することで、より高いスイッチング周波数で、より高いパワー転送・効率を実現することで、現在のプロセッサの要求する電源要件を満たしています。同時にドライバMOSFETの採用は、CPU周辺におけるVRM実装面積を低減させる利点もあります。
PowerMOS x 2
ドライバIC x 1
実相面積をounting area
50%
減少
従来のMOSFET + ドライバIC
ドライバMOSFET
Power Efficiency
Power Efficiency
ドライバMOSFETは、MOSFETとドライバICを統合することで、より高いスイッチング周波数で、より高いパワー転送・効率を実現することで、現在のプロセッサの要求する電源要件を満たしています。
ドライバMOSFET 従来のMOSFET
ドライバMOSFETとGIGABYTE Ultra Durable 3 併用の利点
ドライバMOSFETとGIGABYTE Ultra Durable 3 併用
従来の設計
エネルギー効率
良好
普通
コンポーネントの
パワースイッチング
損失
少
多
発熱の発生
少
多
耐久性
高
低
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