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| Ultra Durable™ 5 - O Design de Mais Alta Qualidade de Energia de CPU da Indústria |
As Nossas Melhores Placas-Mãe Best Ultra Durable™
A GIGABYTE está ainda aumentando o padrão de qualidade e durabilidade de placas-mãe com a sua nova tecnologia Ultra Durable™ 5, com uma gama de componentes Capazed de Alta Voltagem que oferecem a mais alta qualidade de entrega de energia para a CPU para desempenho de quebra de recorde e operação eficiente e de baixa temperatura, além de aumento na longevidade da placa-mãe.
IR3550 PowIRstage®
O mais pontuado e mais premiado Power Stage na indpustria.
• Oferecendo a melhor entrega de energia pontuada em até 60A, enquanto mantem baixas temperaturas operacionais.
• Par Parfeito: As Placas-Mãe GIGABYTE Ultra Durable™ 5 usam ambos controladores IR digital PWM eIR PowIRstage® ICs, para um sistema de entrega de energia único e perfeito.
• Líder de Indústria em Pico de Eficiência de até 95%
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2X PCB Cobre
Oferecendo suficiente trilhas de energia entre os componentes para aguentarem quantidade excepcional de energia associada com overclocking e remover o calor da área crítica de entrega de energia da CPU.
Bobinas de Núcleo de Ferrite de Alta Capacidade
Até 60A para oferecer a entrega de energia mais estável.
* As especificações reais dos componentes podem variar de acordo com o modelo.
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Energia Fria, Por Dentro e Por Fora |
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As placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable usam ICs IR3550 PowIRstage, os quais têm a mais alta avaliação 60A, com Perdas Mais Baixas, Menos Eficiência e Excelente Gerenciamento.
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O layout e a embalagem usam conexões de cobre para todos os caminhos de energia ao invés de ligações de fio, reduzindo as perdas devido à alta resitência de ligações de fio assim como a alta indutância que causa eco e alta perda de AC.
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Conexões de enrgia entra os MOSFETs utilizam cobre de baixa perda, reduzem perdas e ajudam a espalhar o calor. |
IC driver MOSFET Especializado by International Rectifier. |
O MOSFET lado alto (Controle FET) tem um carregamento de portão bem baixo. O MOSFET lado baixo (SyncFET) tem um Schottky Diode integrado para uma eficiência ainda maior. |
A corrente tem caminhos muito curtos desde o fundo do dispositivo, através do controle FET (duty cycle ON) ou do Sync FET (Duty cycle OFF) e através do clip de cobre. Esta é uma outra razão pela qual o dispositivo é durável e pode aguentar 60A. |
eadframe de cobre personalizado conduz o calor para longe do silício. |
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Design Tradicional da Área de Energia da CPU |
Controlador PWM |
Drivers MOSFET |
MOSFETs de Lado Alto e Baixo Tradicionais |
Bobina |
Capacitor |
CPU |
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Perguntas e Respostas Área de Enrgia da CPU
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O que é a Área de Energia da CPU?
A Área de Energia da CPU contpem vários componentes de uma placa-mãe que são responsáveis pela entrega de energia para a CPU (controlador PWM, drivers MOSFET, MOSFETs de lado alto e baixo, Bobinas, Capacitors e circuito relacionado).
O que é um MOSFET ?
Um MOSFET é um dos componentes mais cr´ticos da área de energia da CPU, pois ele é interruptor que primeiro permite ou não permite o fluxo de corrente elétrica para a CPU. Ele é controlado pelo driver MOSFET e controlador PWM. Ele tamém é um dos componentes mais caros do design de energia.
O que é um Power Stage ?
Um Power Stage é um único chip que inclue o driver MOSFET, 1 MOSFET de lado alto e 2 (ou às vezes apenas 1) MOSFETs de lado baixo. Power Stages sçao feitos usando um processo de fabricação mais avançado, e são portanto mais eficientes.
O que é um MOSFET Tradicional (também conhecido como D-Pak MOSFET...) ?
Um MOSFET tradiconal é um design de MORFET menos avançado que é utilizado é uma área de energia da CPU tradicional onde os drivers de MOSFET e MOSFETS de Lado Alto e Baixo estão em chips individuais cada (design de multi-chip MOSFET). Eles são mais baratos e menos eficientes que os Power Stages de chip único. |
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IR conseguiu a tecnologia de nível mundial desenvolvida para o DirectFET®, melhorando significantemente a capacidade térmica e o layout do PowIRstage® sobre os pacotes de outros MCM. |
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Design de Pacote Único* |
vs. |
Design de Multi-Chip |
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| Driver IC |
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| *patente pendente |
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Outras implementações de layout de MOSFET usam uma arrumação de multi-chip, lado-a-lado dos MOSFETs de lado alto e baixo e driver IC, elevando significantemente o estado real da placa e criando mais vazamento elétrica. |
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MOSFET lado alto
(MOSFET Tradicional) |
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MOSFET lado baixo
(MOSFET Tradicional) |
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Driver IC
(Driver MOSFET) |
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| Super Fresco, Ultra Eficiente, Ultra Desempenho |
| Alta Eficiência = Baixa Perda de Energia = Menos Calor = Maior Longevidade |
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| Os IR3550 PowIRstage® da IR são os mais eficientes e operam em menor temperatura do que os MOSFETS concorrentes resultando em uma longevidade de componente mais longa e mais espaço para melhor desempenho de overlcloking. |
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MOSFET Tradicional
Amostra de Comparação |
MOSFET RDS(on) Mais Baixo
até 40°C Mais Baixo |
IR3550 PowIRstage®
até 60°C Mais Baixo |
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OK |
Bom |
Melhor |
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* Resultados de testes para referência apenas. Resultaados podem variar de acordo com a configuração da configuração do sistema.
* Temperatura até 60° C mais baixa, obtida usando 4 fases IR3550 PowIRstage® com PCB 2x cobre vs. 4 fase D-Pak MOSFET @ carregado 100A load 10 mins teste de laboratório sem heatsing. |
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Oc ICs IR3550 PowIRstage® permanecem mais frios do que os deseigns de outros MOSFET, permitindo usuários a fazer overclock até maiores níveis de desempenho. Cada componente de energia tem uma temperatura termal operacional máxima, e uma vez alcançado, adiciona mais voltagem que irá resulta em um overclock com falha. Já que os IR3550 PowIRstages® sçao capazes de operar em temperaturas mais frias e em voltagens mais altas do que os design tradicionais, os overclockers são capazes de ter mais espço para voltagens, resultando em potencial mais alto de overclocks. |
Temperaturas Mais Baixas = Maiores Overclocks |
Estabilidade de Overclocking MOSFET |
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Superaquecimento |
Sem energia suficiente para overclocking |
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IR3550
PowIRstage® |
Melhor |
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Lower RDS(on)
MOSFET
(Também conhecido como WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Bom |
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Traditional MOSFET
((Também conhecido como D-Pak MOSFET... ) |
OK |
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Componentes Capazes de Alta Voltagem |
As placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable™ 5 oferecem Power Stages de Alta Capacidade e Bobinas de Núcleo de Ferrite de até 60A com o exclusivo PCB GIGABYTE 2x Cobre para oferecer a melhor e mais estável entrega de energia. |
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60A
Power Stages de Alta Capacidade |
60A Bobinas de Núcleo de Ferrite de Alta Capacidade |
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* Actual component specifications may vary by model |
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Qualidade Por Dentro e Por Fora |
Mesmo que vários compomentes de alta qualidade usados nas placas-mãe GIGABYTE Ultra Durable™ não estão visíveis pela parte de fora, tenha certeza de que eles estão trabalhando duro para oferecer melhor eficiência, maior economia de energia, menores temperaturas de sistema, melhor desempenho de overclocking e aumento na longevidade do sistema. Esta é a garantia GIGABYTE Ultra Durable™.
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PCB (Printed Circuit Board) = Circuito Impresso de Placa
PCB 2x cobre PCB = PCB 2 onças de cobre = peso da camada de cobre
30.48 cm x 30.48 cm PCB é 56.7 g (2 oz)
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Camada Cobre |
Espessura |
2x cobre |
0.070mm (70 µm) |
1x cobre |
0.035mm (35 µm) |
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Bobina de
Núcleo de Ferrite
de Alta Capacidade |
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Capacitor Sólido |
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Power Stage |
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2x Cobre
Camada Interna |
Camada de Sinal |
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Camada de Energia |
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Nova Fibra de Vidro |
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Camada Base |
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Camada de sinal |
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Os Benefícios do design de PCB 2 onças de Cobre
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| Temperatura Mais Baixa |
Melhor Overcloking |
Melhor Eficiência de Energia |
Impedância 2x Mais Baixa |
EMI Mais Baixo |
Melhor Proteção ESD |
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O design exclusivo GIGABYTE PCB 2X cobre oferece suficiente traços de caminhos de entre os componentes para aguentarem carregamentos de energia maiores do que o normal e para remover o calor da área crítica de entrega de energia da CPU. Isto é essencial para assegurar que a plac-mãe é capaz de suportar o elevado carregamento de energia que é necessário durante o overclocking. |
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Ultra Durable™ 4 -
Insista em uma Placa-Mãe |
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Deseign MOSFET RDS(on) Mais Baixo |
Compoenentes de Qualidade Fazem Placa-Mãe de Qualidade |
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Parte de trás da Placa-Mãe |
Frente da Placa-Mãe |
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True Digital PWM B
para Memória e VTT |
True Digital PWM A
para CPU e Gráficos Intel HD |
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| Placas-Mãe GIGABYTE Ultra Durable™ |
Desde o meio de 2011, a linha completa de placas-mãe GIGABYTE não utiliza mais D-Pak MOSFETs para o design de energia da CPU |
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MOSFET Tradicional
Exemplo Comparativo |
MOSFET RDS(on) Mais Baixo
até 40°C Mais Baixo |
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Quente |
Frio |
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* Resultados de testes para referência apenas. Resultaados podem variar de acordo com a configuração da configuração do sistema.
* Temperatura até 60° C mais baixa, obtida usando 4 fases IR3550 PowIRstage® com PCB 2x cobre vs. 4 fase D-Pak MOSFET @ carregado 100A load 10 mins teste de laboratório sem heatsing. |
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MOSFET RDS(on) Mais Baixo
(Também conhecido como WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Maior Custo |
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Boa Eficiência
Baixa Temperatura
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MOSFET Tradicional
(Também conhecido como D-Pak MOSFET... ) |
Baixo Custo |
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Baixa Eficiência
High Temperature
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MOSFET RDS(on) Mais Baixo
(Também conhecido como WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
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8 pins
(4 direita, 4 esquerda) |
MOSFET Tradicional (Também conhecido como D-Pak MOSFET...) |
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3 pins
(1 direita, 2 esquerda) |
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Proporção do tamanho entro objetos é constante |
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Temperaturas Mais Frias = Overclocks Mais Altos |
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Superaquecimento |
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Sem energia suficiente para overclocking |
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PCB 2x Cobre |
O design GIGABYTE Ultra Durable™ 4 tem 2x mais a quantidade de cobre que uma placa-mãe tradicional para ambas as camadas de Energia e Base as quais reduzem drasticamente a temperatura do sistema entregando uma difusão do calor mais eficiente das áreas crticias da placa-mãe como a área de energia da CPU pelo PCB inteiro. A GIGABYTE's Ultra Durable™ 4 também redua a impedância em até 50%, o que ajuda a reduzir o desperdício elétrico e também reduz a temperatura dos componentes. O design da camada de 2x cobre também oferece qualidade de sinal melhorada e EMI (Electromagnetic Interference- Interferência Eletromagnética) mais baixa, oferecendo melghor estabilidade e permitindo margens mais altas para overclock.
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Bobina de
Núcleo de Ferrite |
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50,000 hr.
Capacitor Sólido Japonês
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MOSFET RDS(on)
Mais baixo |
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PCB (Printed Circuit Board) = Circuito Impresso de Placa
PCB 2x cobre PCB = PCB 2 onças de cobre = peso da camada de cobre
30.48 cm x 30.48 cm PCB é 56.7 g (2 oz)
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Camada Cobre |
Espessura |
2x cobre |
0.070mm (70 µm) |
1x cobre |
0.035mm (35 µm) |
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Benefícios do PCB 2x Cobre
• Mais fri do que placas-mãe tradicionais
• Durabilidade aumentada
• Eficiência de energia aumentada
• Maiores margens para overclock |
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| Temperatura Mais Baixa |
Melhor Overclocking |
Melhor Eficiência de Energia |
2x Mais Baixa Impedância |
EMI Menos |
Melhor Proteção ESD |
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Proteção Contra Umidade |
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| Novo PCB Fibra de Vidro |
A tecnologia PCB de fibra de vidro usa um material PCB novo que reduz o espaço entre a trança de fibra, dificultando a penetração de umidade se comparado com os PCBs de placa-mãe tradicionais. Isto oferece muito mais proteção contra curto-circuito e malfuncionamento de sistema causado por condições de umidade. |
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PCB Fibra de Vidro Novo |
PCB Fibra de Vidro Tradiciona |
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