| |
| |
Putere rece, înăuntru și afară
|
| |
|
 |
Plăcile de bază GIGABYTE Ultra Durable™ 5 folosesc circuite integrate IR3550 PowIRstage®, cotate cu cel mai mare curent din industrie - 60A, cu pierderi mai mici, eficiență mai mare și un excelent management termic.
|
|
 |
Schema și ambalarea folosesc conexiuni din cupru pentru toate căile de alimentare față de legături prin fire, reducând astfel pierderile cauzate de rezistența mare a legăturilor prin fire cât și inductanța mare ce cauzează sunete și pierderi mari de AC.
|
Conexiunile de alimentare dintre MOSFETi folosesc cupru cu foarte mici pierderi, reducând pierderile și ajutând la disiparea căldurii. |
MOSFET driver IC specializat de la International Rectifier. |
High side MOSFET (Control FET) cu încarcare foarte mica pe poartă. Low side MOSFET (SyncFET) are o diodă Schottky integrată pentru eficiență și mai mare. |
Curentul are trasee foarte scurte din partea de jos a echipamentului, fie prin control FET (duty cycle ON) sau prin Sync FET (Duty cycle OFF) și prin clema de cupru. Un alt motiv pentru care echipamentul este atât de durabil și poate rezista la 60A. |
Carcasă personalizată din cupru conduce căldura departe de siliciu. |
|
|
Design tradițional al zonei de alimentare |
Controller PWM |
MOSFET Drivers |
MOSFETi tradiționali High și
Low side |
Bobină |
Condensator |
CPU |
|
| |
Întrebări și răspunsuri despre zona de alimentare CPU
|
| |
Ce reprezintă zona de alimentare CPU?
Zona de alimentare CPU contine componente variate ale unei plăci de bază ce sunt responsabile cu livrarea energiei către CPU (controller PWM, MOSFET Drivers, MOSFETi High și Low side, bobine, condesnatori și circuitele aferente).
Ce este un MOSFET ?
Un MOSFET este una dintre cele mai critice componente din zona de alimentare CPU, fiind un comutator ce mai întâi permite sau nu trecerea curentului electric către CPU. Comutarea sa este controlată de un MOSFET driver și de controller-ul PWM. Este de asemenea una dintre cele mai scumpe componente din zona de alimentare.
Ce este un Power Stage ?
Un Power Stage este un cip singular ce include MOSFET driver, 1 high side MOSFET și 2 (uneori 1) Low Side MOSFETi . Power Stage sunt realizați folosind un proces de fabricație mult mai avansat, și de aceea sunt mai eficienți.
Ce este un MOSFET tradițional (cunoscut și ca D-Pak MOSFET...) ?
Un MOSFET traditional este un MOSFET cu un design mai putin avansat ce este folosit într-o zonă de alimentare CPU traditională, unde MOSFET drivers și High și Low Side MOSFET sunt fiecare câte un cip individual (design multi-cip MOSFET). Sunt mai puțin costisitori și mai putin eficienți ca Power Stage. |
|
|
| |
| |
|
| |
|
IR a folosit tehnologia de construcție de clasă mondială dezvoltată pentru DirectFET®, îmbunătățind semnificativ capabilitățile termice și aspectul PowIRstage® față de cele de tip MCM. |
| |
Design Single Package * |
vs. |
Design Multi-Cip |
|
| |
| Driver IC |
| |
|
| *în curs de patentare |
|
|
|
Alte implementări de design cu MOSFET folosesc un aranjament multi-cip, alăturat al high și low side MOSFET și al driver IC, ocupând mai mult spațiu pe placă și permițând mai multe scurgeri electrice. |
 |
High Side MOSFET
(MOSFET tradițional) |
| |
Low Side MOSFET
(MOSFET tradițional) |
| |
Driver IC
(MOSFET Driver) |
|
| |
|
|
Power Stage
(Cunoscut și ca IR3550
PowIRstage® ) |
Lower RDS(on) MOSFET
(Cunsocut si ca WPAK, PowerPAK MOSFET...) |
| |
MOSFET tradițional (Cunoscut și ca D-Pak MOSFET...) |
| |
Raportul mărimii obiectelor este constant |
|
|
|
|
|
|
| |
| |
|
| |
| Driver IC dezvoltat de International Rectifier |
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® conțin un MOSFET driver IC specializat setat perfect pentru perechea de MOSFET. Multe companii producătoare de Driver MOSFET folosesc driver de la alte companii, astfel încât driver-ul nu este întotdeauna optimizat pentru MOSFET. Prin încapsularea împreună a Driver+MOSFET, IR a proiectat acest driver pentru a optimiza acest modul pentru o mai mare eficiență. |
| |
|
|
 |
|
Imagine cu raze X a IR3550 Power Stage |
|
Imagine cu IR3550 Power Stage decapsulat |
|
|
| |
| |
| |
|
| |
| Ultra Rece, Ultra Eficient, Ultra Performanță |
| Eficiență crescută = Pierderi mici de putere = Căldură mai puțină = Durată mai lungă de viață |
| |
| |
IR3550 PowIRstage® sunt mai eficiente și operează mai rece decât MOSFET-ii competitorilor, rezultând o durată mai mare de viață a componentelor și mai mult spațiu pentru performanțe mai mari de overclocking.
|
| |
MOSFET tradițional
Model de comparare |
Lower RDS(on) MOSFET
până la 40°C mai jos |
IR3550 PowIRstage®
până la 60°C mai jos |
|
|
|
OK |
Bun |
Cel mai bun |
|
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot diferi în funcție de configurația sistemului.
* Temperaturi mai joase cu până la 60° C obținute folosind IR3550 PowIRstage® cu 4 faze cu PCB cu 2x Cupru vs. D-Pak MOSFET cu 4 faze @ încărcare de 100A testate 10 minute în laborator fără radiator |
| |
| |
| |
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® au o eficiență energetică mai mare și sunt MOSFET-ii cotați cu cel mai mare curent posibil în industrie, de până la 60A. Astfel se asigură cea mai bună livrare de energie către CPU, pentru operare mai stabilă și performanțe mai bune de overclocking. |
| |
16 MOSFET traditional în lucru
|
4 Circuit integrat PowIRstage® în lucru |
|
|
|
|
|
| |
 |
| |
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® sunt atât de eficiente încât chiar dacă cele 4 integrate PowIRstage® în lucru din dreapta au același grad de încărcare ca cele 16 MOSFET-uri tradiționale în lucru din stânga, temperatura de lucru este totuși cu până la 30° C mai joasă față de design-ul tradițional cu MOSFET. |
|
|
|
|
| |
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot diferi în funcție de configurația sistemului.
Configurație: Intel Core™ i7-3770K CPU, frecvența CPU default (3.5GHz), 1.2V Vcore, setări BIOS default, DDR3 1333MHz, sursă 500W, răcire CPU cu apă fără radiator pe MOSFET. Software: Microsoft Windows® 7 cu utilitarul Power Thermal la încărcare de 100%. |
| |
| |
| |
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® rămân mai reci față de alte design-uri MOSFET, permițând utilizatorilor să overclockeze la nivele mai mari de performanță. Fiecare componentă de putere are o temperatură maximă de lucru care, atunci când este atinsă și se crește tensiunea, va avea ca rezultat un overclock nereușit. Cum IR3550 PowIRstages® sunt capabile să lucreze la temperaturi mai mici și la tensiuni mai mari față de un design tradițional, overclockerii pot crește mai mult tensiunea rezultând overclock-uri mai mari. |
Temperaturi mai joase = Overclock mai bun |
Stabilitate MOSFET la Overclocking |
|
Supraîncălzire |
Putere insuficientă
pentru overclocking |
|
|
 |
IR3550
PowIRstage® |
Cel mai bun |
|
 |
Lower RDS(on)
MOSFET
(Cunoscut și ca WPAK, PowerPak MOSFET...) |
Bun |
|
 |
Traditional MOSFET
(Also known as D-Pak MOSFET... ) |
OK |
| |
|
|
|
| |
| |
|
| |
| Eficiență de vârf de până la 95% - cea mai bună din industrie |
| |
 |
| |
Circuitele integrate IR3550 PowIRstage® sunt mai eficiente, cu eficiență de vârf de până la 95%, în timpul operării normale.
Chiar și la nivele mai mari de curent, integratele IR3550 PowIRstage® sunt capabile să mențină pierderi mici de putere, ceea ce înseamnă și mai puțină căldură generată. |
| |
| |
| |
* Rezultatele testelor sunt doar de referință. Rezultatele pot varia în funcție de configurația sistemului.
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3, curent de aer 400LFM, fără radiator, temperatura ambientală 25°C și PCB cu 8 straturi de 3.7” (L) x 2.6” (W). |
| |
|
|
Design-uri tipice actuale cu MOSFET
|
| |
|
|
|
|
| |
Power Stage
(Cunoscut și ca IR3550 PowIRstage®) |
Cost premium |
|
Cea mai mare eficiență
Cea mai mică temperatură |
| |
Lower RDS(on) MOSFET
(Cunoscut și ca WPAK, PowerPAK,
MOSFET...) |
Cost mare |
|
Eficiență bună
Temperatură joasă |
| |
MOSFET tradițional
(Cunoscut si ca D-Pak MOSFET...) |
Cost redus |
|
Eficiență scăzută
Temperatură mare |
|
|
| |
|
| |
|
| |
