업계 최고 품질의 CPU 전원부 |
GIGABYTE G1-Killer 메인보드는 업계 최고의 PowIRstage™ 칩을 탑재한 IR 전원부(PWM)의 제어장치를 적용했다. 이러한 전체 디지털 전원부에 사용된 컴포넌트는 메인보드의 각 핵심적인 컴포넌트가 필요로 하는 전력을 안정적이고 정확하게 공급하고 신세대 Intel® Core™ 프로세서의 초고성능을 최대한 구현시켜 준다. |
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IR®완벽한 전원 솔루션® 채택 |
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IR® PowIRstage®칩 |
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IR® Digital PWM 콘트롤러 |
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전체 IR®디지털 전원부 콘트롤 모듈 |
전체 디지털 전원 공급 |
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프로세서 메모리 |
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싱글 패키지 디자인 |
International Rectifier사는 세계 최고 수준의 패키지 기술을 사용하여 특허 신청중인 DirectFET®설계를 개발했고, 열처리(쿨링) 능력과 레이아웃이 다른 MCM 패키지보다 훨씬 우수한 PowIRstage®제품을 제조하고 있다. |
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| 싱글 패키지* VS. 멀티칩 |
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상단의 MOSFET |
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드라이버 IC |
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하단의 MOSFET |
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기타 MOSFET의 레이아웃은 상단 MOSFET, 하단 MOSFET, MOSFET 드라이버 IC 등 멀티칩이 병렬로 배치되어 메인보드의 물리적 공간을 차지할 뿐아니라 불필요한 전력 손실을 일으킨다. |
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상단의 MOSFET
(기존 MOSFET) |
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하단의 MOSFET
(기존 MOSFET) |
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드라이버 IC
( MOSFET 드라이버) |
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디지털 PWM 콘트롤러 및 PowIRstage® 칩의 적용은 제품의 모델에 따라 다를 수 있다. |
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싱글 패키지
(널리 알려진 IR3550 PowIRstage® ) |
Lower RDS(on) MOSFET
(WPAK, PowerPAK MOSFET) |
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8 pins
(오른쪽 4, 왼쪽 4) |
기존 MOSFET (D-Pak MOSFET...) |
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3 pins (오른쪽 1 right, 왼쪽 2)
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이미지 상의 실제 사이즈 비율은 일정하다 |
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뛰어난 열처리, 초고효율, 초고성능 |
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기존의 MOSFET 설계 |
IR3550 PowIRstage® |
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* 테스트 결과는 참고용일 뿐이다. 시스템에 따라 결과가 달라질 수 있음.
* 구리 함량이 2배 증가한 PCB를 적용한 4페이즈 IR3550 PowIRstage® vs. 4페이즈 기존 MOSFET 100A 전류 부하에서 방열판을 장착하지 않고 실험실에서 테스트한 값이다. |
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발열 감소 = 강화된 오버클럭 성능 |
과열 |
오버클럭에 필요한 전력 부족 |
IR3550 PowIRstage®칩은 다른 MOSFET보다 발열이 적다는 특성을 지니고 있기 때문에 오버클럭 성능을 한 차원 더 높이 끌어올릴 수 있다! 각종 전원부 컴포넌트는 모두 정상 수준으로 작동할 수 있는 최고 온도가 있다. 일단 극한 온도에 도달했을 경우에 전압을 더 올리면 발열 현상만 일어나고 오버클럭은 실패한다. IR3550 PowIRstages® 칩은 고전압 환경에서도 기존의 설계보다 발열이 훨씬 적어서 오버클럭에 필요한 훨씬 높은 전압을 이겨낼 수 있기 때문에 잠재된 오버클럭 성능이 크게 향상되었다. |
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MOSFET의 오버클럭 안정성 |
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IR3550
PowIRstage® |
가장 좋음 |
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Lower RDS(on)
MOSFET
(Also known as WPAK, Power Pak MOSFET...) |
좋음 |
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Traditional MOSFET
(Also known as D-Pak MOSFET... ) |
보통 |
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위에서 소개한 기능과 상세한 규격은 제품의 모델에 따라 다를 수 있음을 알려드립니다. |
이미지와 규격에 변동이 있을 경우 별도로 통지하지 않음을 알려드립니다. |
위의 이미지는 참고용일 뿐입니다. |
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