Die hochwertigste CPU-Stromversorgung der Branche |
Die GIGABYTE G1-Killer Mainboards verwenden branchenführende PowIRstage™-Controller von International Rectifier. Diese Komponenten sind zu 100 % digital und bieten unglaubliche Präzision und Leistung für die leistungsstärksten und stromintensivsten Komponenten. So erhalten echte Fans maximale Leistung für ihre Intel® Core™-Prozessoren der nächsten Generation. |
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Die Komplettlösung von
International Rectifier (IR®) |
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IR® PowIRstage® IC |
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IR® Digitaler PWM-Controller |
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All IR® Digitale PWM-Controller |
Komplette digitale Leistung |
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CPU Speicher |
Speicher |
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Einzelgehäuse-Design |
IR hat seine weltweit führende und für die DirectFET® entwickelte Gehäusetechnologie wirksam eingesetzt, um die thermischen Eigenschaften und das Layout der PowIRstage® im Vergleich zu anderen MCM-Gehäusen erheblich zu verbessern. |
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| Einzelgehäuse-Design* im Vergleich mit dem Multi-Chip-Design |
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High-Side-MOSFET |
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Treiber-IC |
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Low-Side-MOSFET |
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Andere MOSFET-Layout-Implementierungen verwenden eine nebeneinander liegende Multi-Chip-Anordnung der High- und Low-Side-MOSFETs und der Treiber-IC, was viel Platz auf dem Mainboard in Anspruch nimmt und eine höhere elektrische Streuung verursacht. |
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High-Side-MOSFET
(Traditioneller MOSFET) |
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Low-Side-MOSFET
(Traditioneller MOSFET) |
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Treiber-IC
(MOSFET-Treiber) |
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Das Design des digitalen PMW-Controllers und des PowIRstage®-IC kann je nach Modell variieren. |
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Power Stage
(auch bekannt als IR3550 PowIRstage® ) |
Niedrig-RDS(on)-MOSFET
(auch bekannt als WPAK, PowerPak MOSFET ...) |
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8 Pins
(4 rechts, 4 links) |
Traditioneller MOSFET (auch bekannt als D-Pak-MOSFET ...) |
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3 Pins
(1 rechts, 2 links) |
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Das Größenverhältnis zwischen den Objekten ist konstant |
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Extrem kühl, extrem effizient, extreme Leistung |
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Traditioneller MOSFET |
IR3550 PowIRstage® |
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* Das Testergebnis dient nur zu Referenzzwecken. Ergebnisse können sich je nach Systemkonfiguration unterscheiden.
* 4-phasige IR3550-PowIRstage®-ICs mit 2x-Kupfer-PCB gegenüber einem traditionellen 4-phasigen MOSFET bei einer Last von 100 A und im Rahmen eines zehnminütigen Labortests ohne Kühlkörper. |
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Niedrigere Temp. = höhere Übertaktungen |
Überhitzung |
Nicht genügend Energie
für Übertaktung |
IR3550-PowIRstage®-ICs bleiben kühler als andere MOSFET-Anordnungen, was es den Benutzern ermöglicht, durch Übertaktung noch höhere Leistungen zu erzielen. Jede Komponente der Stromversorgung hat eine maximal zulässige Betriebstemperatur, und sobald diese erreicht ist, führt eine höhere Spannungszufuhr lediglich zu einer fehlgeschlagenen Übertaktung. Da IR3550-PowIRstages® auch bei höheren Spannungen niedrigere Betriebstemperaturen als traditionelle Designs aufweisen, steht Übertaktern ein größerer Spielraum für höhere Spannungen und somit ein höheres Übertaktungspotenzial zur Verfügung. |
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MOSFET-Übertaktungsstabilität |
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IR3550
PowIRstage® |
Top |
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Niedrig-RDS(on)-
MOSFET
(auch bekannt als WPAK, PowerPak MOSFET ...) |
Gut |
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Traditioneller MOSFET
(auch bekannt als D-Pak-MOSFET ... ) |
OK |
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Funktionen und tatsächliche Komponentenspezifikationen können sich je nach Modell unterscheiden. |
Für die Spezifikationen und Bilder sind Änderungen vorbehalten. |
Die Fotos dienen nur zu Referenzzwecken. |
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