دائرة Driver-MOSFET: دمج مكونات دائرة ضبط وتوصيل الجهد الكهربي

 

دائرة توصيل وضبط الجهد الكهربي العادية تتكون من ملف كهربي، مكثف، دوائر كهربية ودائرة مدمجة. بدمج الدوائر الكهربية والدائرة المدمجة معاً تبعاً للمواصفات التي حددتها إنتل، فإننا نحصل على مستوى أعلى لنقل الطاقة وكفاءة أكبر في استخدامها، عند ترددات متغيرة أعلى، لتكفي الاحتياجات المتزايدة للطاقة للمعالجات الموجودة حالياً. كما أن هذا الدمج يعمل على تقليل المساحة التي تشغلها هذه المكونات في منطقة المعالج.
 

2 x دوائر كهربية مستقلة
1 x دائرة مدمجة
منطقة التركيب
أقل
50%!
   
دوائر كهربية تقليدية + دائرة مدمجة
دائرة Driver-MOSFET
 
   
كفاءة استخدام الطاقة
 كفاءة استخدام الطاقة  
     
 
دوائر Driver-MOSFET قادرة على توصيل الطاقة الكهربية بشكل أفضل وبكفاءة أعلى مع الترددات المتغيرة وبذلك تكون قادرة على توصيل كل الطاقة الكهربية المطلوبة للمعالجات الحديثة
  دائرة Driver-MOSFET       دوائر كهربية تقليدية  
مزايا الجيل الثالث من تقنية الحمل الفائق مع دائرة Driver-MOSFET من جيجابايت
 
الجيل الثالث من تقنية التحمل الفائق مع دائرة Driver-MOSFET من جيجابايت
تصميم تقليدي
كفاءة استخدام الطاقة
جيد
سيىء
فقد الطاقة أثناء التحويل بين المكونات
منخفض
مرتفع
الحرارة الناتجة
منخفض
مرتفع
العمر الافتراضي
طويل
قصير
 



شارك هذا الموقع عبر فيس بوك وتويتر :  
كل حقوق الملكية الفكرية, متضمنة على سبيل المثال لا الحصر حقوق الطبع والنشر والعلامة التجارية لهذا العمل وكل الأعمال المشتقة منه هي ملك أو مرخصة لشركة
GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. أي استخدام غير مصرح به ممنوع قطعيًا.