ما هو تصميم الجيل الثالث من تقنية التحمل الفائق من جيجابايت؟
المواصفات الأساسية للوحات GIGABYTE الرئيسية المزودة بالجيل الثالث من تقنية التحمل الفائق هي طبقات النحاس مضاعفة السمك، المكثفات الصلبة يابانية الصنع التي يبلغ عمرها الافتراضي 50,000 ساعة، الملفات الكهربية ذات القلب من سبيكة الفرّيت وهي أكثر كفاءة في استخدام الطاقة من الملفات الكهربية ذات القلب الحديدي، والدوائر الكهربية منخفضة المقاومة والتي تستهلك كمية أقل من الطاقة وبالتالي تقل الحرارة المتولدة منها.
الملفات الكهربية المصنعة من سبيكة الفِرَّيت
مكثفات صلبة يابانية الصنع
مضمونة ل 50,000 ساعة عمل
الدوائر الإلكترونية منخفضة المقاومة
طبقة نحاس مضاعفة السمك
طبقة توصيل الاشارة
طبقة من البلاستيك المقوى للتدعيم
طبقة توصيل الطاقة
طبقة القلب
طبقة الأرضي
طبقة من البلاستيك المقوى للتدعيم
طبقة توصيل الاشارة
مزايا استخدام طبقات النحاس مضاعفة السمك ● أكثر برودة من اللوحات الرئيسية التقليدية
● عمر افتراضي أطول
● كفاءة أكبر في استخدام الطاقة
● امكانات هائلة لرفع تردد التشغيل
لوحة الدوائر الالكترونية
كمية مضاعفة من النحاس = أونصتين من النحاس في تركيب اللوحة الرئيسية = وزن النحاس الموجود في طبقة واحدة 30.48 سم x 30.48 سم (مساحة قدم مربع) هي 56.7 جرام (أونصتين).
طبقات النحاس
السمك
طبقات مضاعفة
0.070 مم (35 ميكرومتر)
طبقات مضاعفة
0.35 مم (70 ميكرومتر)
درجة حرارة أقل
امكانيات أكبر لرفع تردد التشغيل
كفاءة أكبر في استخدام الطاقة
مقاومة أقل للتيار الكهربي بمقدار النصف
تداخلات كهرومغناطيسية EMI أقل
حماية أفضل من الكهرباء الاستاتيكية ESD
دائرة Driver-MOSFET: دمج مكونات دائرة ضبط وتوصيل الجهد الكهربي
دائرة توصيل وضبط الجهد الكهربي العادية تتكون من ملف كهربي، مكثف، دوائر كهربية ودائرة مدمجة. بدمج الدوائر الكهربية والدائرة المدمجة معاً تبعاً للمواصفات التي حددتها إنتل، فإننا نحصل على مستوى أعلى لنقل الطاقة وكفاءة أكبر في استخدامها، عند ترددات متغيرة أعلى، لتكفي الاحتياجات المتزايدة للطاقة للمعالجات الموجودة حالياً. كما أن هذا الدمج يعمل على تقليل المساحة التي تشغلها هذه المكونات في منطقة المعالج.
دائرتين كهربيتين مستقلة
دائرة مدمجة
منطقة التركيب أقل 50%!
دوائر كهربية تقليدية + دائرة مدمجة
دائرة Driver-MOSFET
كفاءة استخدام الطاقة
مزايا الجيل الثالث من تقنية الحمل الفائق مع دائرة Driver-MOSFET من جيجابايت
الجيل الثالث من تقنية التحمل الفائق مع دائرة Driver-MOSFET من جيجابايت
تصميم تقليدي
Design
كفاءة استخدام الطاقة
جيد
سيىء
فقد الطاقة أثناء التحويل بين المكونات
منخفض
مرتفع
الحرارة الناتجة
منخفضة
مرتفعة
العمر الافتراضي
طويل
قصير
إذا أصيبت وحدة التشغيل الرئيسية الأساسية بأي عطل، يتم استعادة بياناتها أوتوماتيكياً بواسطة وحدة التشغيل الرئيسية الاحتياطية.
حماية أوتوماتيكية مزدوجة ضد أعطال وحدة التشغيل الرئيسية BIOS
ماذا لو أصيبت وحدة التشغيل الرئيسية BIOS بعطل؟ هل مررت بتجربة أن يصيب عطل ما وحدة التشغيل الرئيسية أثناء قيامك بتحديثها؟ أو ربما قمت بتشغيل بعض التطبيقات لتكتشف فيما بعد أن فيروس جديد قد أصاب جهازك وأفقد وحدة التشغيل الرئيسية القدرة على العمل تماماً؟
إذا فقدت وحدة التشغيل الرئيسية القدرة على العمل فإن اللوحة الرئيسية كلها تفقد القدرة على العمل. هل يمكنك تخيل المجهود والوقت اللزمين لاتمام عملية صيانة لوحتك الرئيسية
وحدة التشغيل الرئيسية المزدوجة من GIGABYTE مقارنة بوحدة التشغيل الرئيسية التقليدية
المزايا
وحدة التشغيل الرئيسية المزدوجة
وحدة التشغيل الرئيسية التقليدية
وحدتي تشغيل رئيسيتين على اللوحة الرئيسية لتوفير حماية مضاعفة من الفيروسات والمشاكل الأخرى
نعم
لا
استعادة بيانات وحدة التشغيل الرئيسية بشكل اوتوماتيكي عند حدوث خلل أو فشل في تحميل البيانات
نعم
لا
شارك الموقع عبر فيس بوك وتويتر :
كل حقوق الملكية الفكرية, متضمنة على سبيل المثال لا الحصر حقوق الطبع والنشر والعلامة التجارية لهذا العمل وكل الأعمال المشتقة منه هي ملك أو مرخصة لشركة GIGA-BYTE TECHNOLOGY CO., LTD. أي استخدام غير مصرح به ممنوع قطعيًا.