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酷冷CPU供電 外兼具
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技嘉第五代超耐久™ 主機板，使用 IR3550 PowIRstage® 晶片，內建業界最高60安培的超高耐電流能力，並具有更低電源損耗、絕佳電源效率和出色的散熱管理。
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佈線及封裝方式，採用銅箔來連接所有電源路徑，而非採用焊線的方式連接，減少焊線的高阻抗所造成的電源損耗，以及電感的高頻噪音和過高的交流電源損耗。
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電晶體之間的電源連接，使用非常低損耗的銅箔，減少損耗，並幫助傳播熱量。 |
IR公司專業生產的電晶體驅動晶片。 |
高端電晶體(Control FET) ，具有非常低的柵極電荷。低端電晶體(SyncFET) 整合特殊的二極體( Schottky Diode)具有更高的效率。 |
電流從裝置底部藉由銅箔傳輸通過control FET (duty cycle 打開) 或Sync FET (Duty cycle關閉)的路徑相當短。這是它可以處理60安培電流，且耐用度高的另一個原因。 |
自定義的銅導線架，從矽晶將熱量帶走。 |
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傳統處理器供電區域設計 |
PWM 控制晶片 |
電晶體驅動晶片
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傳統高端及低端電晶體
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電感
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電容 |
處理器
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處理器供電區域 釋疑
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何謂處理器供電區域?
主機板的處理器供電區域包括各種零組件(PWM 控制晶片、 電晶體驅動晶片、高端及低端電晶體、電感、電容及相關電路)，負責供應電力到處理器。
何謂電晶體(MOSFET)?
電晶體的是處理器供電區域的最關鍵的零組件之一，因為它是一個開關，負責允許或不允許電流流向的處理器，這個開關功能由電晶體驅動晶片
及PWM 控制晶片負責掌控。它也是整個電源設計最昂貴的零組件之一。
何謂Power Stage ?
Power Stage 是一個單晶片電晶體，它包含了電晶體驅動晶片、一個高端電晶體、兩個(有時是一個)低端電晶體。Power Stages使用更先進的製造工藝，因此效率跟效果都更好。
何謂傳統電晶體(或常被稱為D-Pak 電晶體...) ?
所謂的傳統電晶體是一種較舊款的電晶體設計，它常被運用在傳統的處理器供電區域設計，這樣的作法需要個別的電晶體驅動晶片、高端電晶體及低端電晶體搭配使 (也就是多晶片電晶體設計).這樣的設計具有很高的價格優勢，但是電源效率卻比單芯片的Power Stage 低很多。 |
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IR公司利用世界一流的包裝技術，開發出專利申請中的DirectFET®設計，製造出散熱能力和佈線效果都有比其他MCM封裝來得更好的PowIRstage®產品。
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單封裝設計*
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vs. |
多晶片設計
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其他電晶體佈線需要將包括高端電晶體、低端電晶體、電晶體驅動晶片等多顆晶片並排配置，不但佔用主機板的空間更容易產生不必要的電力損耗。 |
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高端的電晶體
(傳統電晶體設計) |
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低端電晶體
(傳統電晶體設計) |
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驅動晶片
(電晶體驅動器) |
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Power Stage
(如知名的 IR3550
PowIRstage® ) |
低電阻式電晶體
(大家熟知的 WPAK, PowerPAK 電晶體...) |
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傳統電晶體 (大家熟知的 D-Pak 電晶體...) |
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Size ratio between objects is constant |
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| IR開發的驅動晶片 |
IR3550 PowIRstage® 晶片配備專用的MOSFET驅動晶片，提供IR MOSFET元件的完美調校。許多Driver MOSFET廠商使用來自其他公司的驅動晶片，而這樣的驅動晶片並未對MOSFET進行最佳化，所以無法獲得最佳效果！而IR透過將驅動晶片整合MOSFET的設計方式，以提供最佳的控制能力及電源效率！
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IR3550 Power Stage X光照片
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IR3550 Power Stage 解封裝圖片
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| 超酷冷, 超高效, 超效能 |
| 高效率 = 低電源損耗 =低熱量 = 更長的使用壽命 |
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IR3550 PowIRstage® 晶片具有比其他MOSFET設計更低溫的特性，可以協助使用者將超頻效能推向新高的等級！
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傳統設計電晶體
對照組 |
低電阻式電晶體
最多低 40°C |
IR3550 PowIRstage®
最多低 60°C |
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堪用 |
很好
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最佳
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*測試結果只作參考。根據系統配置，結果可能會有所不同。
*最多低 60° C 的溫度，是藉由比較4相IR3550 PowIRstage® + 2倍銅電路板設計與4相D-PAK MOSFET設計，在實驗室以100安培電流負載10分鐘的無風流、無電晶體散熱片測試獲得。 |
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IR3550 PowIRstage® 晶片，不但具有更大的電源效率更提供業界最高的額定電流處理能力，能夠提供高達60安培的電源。這確保了最佳的電力輸送到CPU，讓電腦運行更穩定和具有更好的超頻性能。
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16 顆傳統電晶體運作
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4 顆PowIRstage® 晶片運作
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IR3550 PowIRstage® 晶片具有如此高的效率，所以上面比較中圖右側的4顆PowIRstage® 晶片， 即使與左側16顆傳統電晶體的設計，在相同工作負載的運作下，都可以達到比傳統電晶體設計最多低30° C的優異表現。
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*測試結果只作參考。根據系統配置，結果可能會有所不同。
測試平台配置：Intel Core™ i7-3770K 處理器，以處理器預設頻率(3.5GHz)運作，1.2V Vcore，BIOS以預設值運作， DDR3 1333MHz記憶體，500W 電源供應器， CPU 以水冷散熱，並移除電晶體散熱片。 作業系統為 Microsoft Windows® 7 ，並以Power Thermal 應用程式執行 100%工作 負載。 |
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IR3550 PowIRstage® 晶片具有比其他MOSFET設計更低溫的特性，可以協助使用者將超頻效能推向新高的等級！每一種電源元件都有其可承受最高工作溫度，一旦達到這個極限溫度，若再增加更多電壓只會增加廢熱而導致超頻失敗。由於IR3550 PowIRstages®在高電壓運作時具有比傳統效果設計更低溫的效果，所以可以承受更多超頻所需要的電壓，進而提供更高的潛在超頻能力！
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更低溫 = 更好的超頻效果
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電晶體對超頻穩定性的影響
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IR3550
PowIRstage® |
最佳 |
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低電阻式電晶體
(大家熟知的 WPAK, PowerPak 電晶體...) |
很好 |
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傳統電晶體
(大家熟知的 D-Pak 電晶體... ) |
堪用
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| 業界領先最高達95%電源效率 |
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IR3550 PowIRstage® 晶片電源利用率更高，在正常操作下，峰值效率高達95％。
即使在高電流運作環境， IR3550 PowIRstage® 晶片仍可保持較低的功率損耗。而較低的功率損耗亦意味著更少的廢熱產生。 |
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*測試結果只作參考。根據系統配置，結果可能會有所不同。
VIN=12V, VOUT=1.2V, ƒSW = 300kHz, L=210nH (0.2mΩ), VCC=6.8V, CIN=47uF x 4, COUT =470uF x3,
400LFM氣流，無電晶體散熱器，25°C的環境溫度，8層PCB板 3.7“（長）x2.6”（寬）。 |
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Power Stage
(如知名的 IR3550 PowIRstage®) |
單價極高
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最高效、最低溫
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低電阻式電晶體
(大家熟知的 WPAK, PowerPAK,
電晶體...) |
單價較高 |
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高效、低溫
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傳統電晶體
(大家熟知的 D-Pak 電晶體...) |
較低價
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效率差、溫度高
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